半導体の測定は大きく分けて2つある。出荷検査（生産ライン検査）とサンプリング検査（オフライン検査）である。今回はその中でもオフライン検査項目であるデバイス信頼性試験に利用されるプローブカードについて話をする。

デバイスを作る際に必要になってくるウェハー内での配線、酸化膜形成、そしてトランジスタ動作の信頼性試験はエレクトロマイグレーション試験やTDDB試験、ホットキャリア試験やNBTI試験といった試験がある。これらはデバイスに熱（-40度〜200度）と電気的ストレス（駆動電圧よりも大きなDCストレス電圧）をかけてデバイス破壊検査を行うことで信頼性測定をする。

また、裏面の温度は高温になる為、通常プローブカードで使われているガラスエポキシやポリイミド等の材質では不可能である。更にはコンタクト保証で重要になる「スーパーオーバードライブ」（高沈み込みコンタクト）が必要になる。つまり、ウェハーとのコンタクトを保証するには、通常50μm程度のオーバードライブ（針沈み込み量）を設定するが、その際に上記の問題で±40μm（レンジ80μm）の高さばらつきが出たと考えると、針（プローブ）があたる部分とあたらない部分が出てきてしまう。300mmウェハー（大口径）での測定に際し、コンタクトを長時間、問題なくし続けるにはそれなりのオーバードライブも必要になる。

そこで、それらの問題を解決したのがセラミックタイル型プローブカードである。セラミックによる高温対応（〜350度）を可能とし、また、反り等の問題を解決するためにカード自体の作りを層（レイヤー）にわけて、それを少なく（±10μm、レンジで20μm以内）する事で高温下での試験を可能にした。また、針の立て方を通常の方式ではなく、針埋め込み型（特許）を利用している。これにより通常、最大でもオーバードライブは100μmと言われている業界で、200μm程度まで沈み込ませてもカード自体を壊さない仕組みにさせた。プローブカードが問題なくコンタクトをしてくれれば、あとは今までのパッケージでの測定と同じ測定原理で信頼性を行う事が出来る。

ウェハーレベル信頼性（WLR：Wafer Level Reliability）、その中核を担うプローブカードは簡単に見えるが、その開発期間と失敗の数は多かった。現在では安定してウェハー面内を一括でコンタクトし、熱にも耐えられるようになった。

ティアテックではこのプローブカードのみならず、測定器、プローバ、ソフトウェアの全てを取り扱い、全てをサポートする。信頼性総合システムはMSR（Multi-Site-Reliability）シリーズと呼ばれ、多くの半導体メーカに利用されている。