今まで、Zyvex社製のナノプロービングシステムsProber、dProber、nProberと紹介してきましたが、これら装置を使ってどのような測定ができるのでしょうか？
今回は4つのポジショナーを持つsProberを使用したナノレベルでの4ポイントICプロービングに関する事例を紹介したいと思います。

上記動画のようにナノレベルでプローブを操作して、直接トランジスタへ電気的にプロービングを行います。
左図はN型MOS-FETの４プローブコンタクトのSEM画像。 ゲートプローブはパス-ゲートに繋がれ、４つのｎチャンネルトランジスタでシェアされています。Psubプローブは基板コンタクトへ繋がれ、 S/Dプローブは被試験トランジスタのソース、ドレインに繋がれています。
このようにプロービングを行い、パラメータアナライザを使用して測定を行い、下図のようなIVカーブを取得することが可能です。

上のデータはsProberが電気的プロービングを行いIVデータを取得した事例。 n型MOS-FETのVdIdカーブを示している。

このように、光学顕微鏡ベースのプローバでは光学限界のために不可能になっていたナノレベルの測定も、ＳＥＭベースのプローバを用いることで、ダイ上のトランジスタを直接的に解析することが可能になります。