■図1.Gate側のみに保護回路を入れた場合
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DUTのGate側のみに保護回路を挿入した場合を考えてみます。(図1)
保護回路の中には大きな抵抗が入っています。
トランジスタのGate-Source間は絶縁されていることが前提なので、VgIdカーブ、VdIdカーブを測定する場合に、保護回路に含まれる抵抗値をほぼ無視することができます。
(図2、図3) |
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■図2.VgIdカーブ
(Gate側のみに保護回路が挿入されている場合) |
■図3.VdIdカーブ
(Gate側のみに保護回路が挿入されている場合)
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■図4.Source側にも保護回路を入れた場合
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ところが、(図4)のようにSource側にも保護回路を挿入した場合、保護回路に含まれる抵抗値によりDrain-source間の電圧が降下し、電流が流れにくくなります。(図5、図6)
保護回路を必要とするような測定システムを組む場合(高電圧対応でなはいSMUを使用する場合など)は、保護回路に含まれる抵抗値を考慮して測定を行う必要があります。
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■図5.VgIdカーブ
(Source側にも保護回路が挿入されている場合) |
■図6.VdIdカーブ
(Source側にも保護回路が挿入されている場合) |
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測定システムを組み上げる場合、システム自体が持っている寄生成分などを正確に把握し、測定結果に与える影響までを考慮する必要があります。ティアテックは、「測定器」や「プローバ」を単体で販売するだけではなく、「測定システム」としてお客様に提供しているからこそ、システムを組んだ際に起きるであろう不具合に対応することができます。システムインテグレーターだからこそできる、システムの特性を理解した上での提案を心がけています。
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